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S5566B

更新时间： 2024-01-02 23:55:56

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商升特 - SEMTECH		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	190K
描述
SILICON DIFFUSED TYPE GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS

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S5566B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, 3-3E1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

S5566B 数据手册

S5566B, S5566G, S5566J, S5566N

SILICON DIFFUSED TYPE

GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS

Repetitive Peak Reverse Voltage – 100 to 1000 Volts

Average Forward Current – 1.0 Ampere

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_RRM

S5566B

100

S5566G

400

S5566J

600

S5566N

1000

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Peak One Cycle Surge Forward

Current ( Non Repetitive )

I_FSM

45(50Hz) 49(60Hz) 30(50Hz) 33(60Hz)

Average Forward Current

Junction Temperature

I_F(AV)

T_j

1.0

-40 to +150

^OC

Storage Temperature Range

T_S

Characteristics at T_a= 25^oC

Symbol

V_FM

Min.

Typ.

Max.

1.2

Unit

Peak Forward Voltage

at I_FM=1A

Repetitive Peak Reverse Current

at V_RRM=Rated

I_RRM

µA

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Semtech International Holdings Limited, acompany

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 23/06/2003

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