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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 50 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256X1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C |
| 子类别： | SRAMs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S54S200W/883B | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, CDFP16 |
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| S54S201F | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP16, Static RAM |
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| S54S201F/883C | PHILIPS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, CDIP16 |
|
| S54S20F/883B | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDIP14 |
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| S54S20F/883C | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDIP14 |
|
| S54S20F883B | NXP |
获取价格 |
IC S SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, DIP-14, Gate |
|
| S54S20W | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDFP14 |
|
| S54S20W/883B | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDFP14 |
|
| S54S22F | NXP |
获取价格 |
IC S SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, CDIP14, Gate |
|
| S54S22F/883B | PHILIPS |
获取价格 |
NAND Gate, TTL, CDIP14 |
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