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S54S200W/883B

更新时间: 2024-01-29 03:20:08
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 339K
描述
Standard SRAM, 256X1, 50ns, TTL, CDFP16

S54S200W/883B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:DFP, FL16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:50 ns
JESD-30 代码:R-XDFP-F16JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)
子类别:SRAMs表面贴装:YES
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

S54S200W/883B 数据手册

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