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S54200F

更新时间: 2024-11-13 17:44:19
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恩智浦 - NXP 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP16, Static RAM

S54200F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T16
内存密度:256 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X1
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

S54200F 数据手册

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