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S4008

更新时间: 2024-11-11 11:08:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 电子开关
页数 文件大小 规格书
12页 728K
描述
S4008是SiC(碳化硅)功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 SiC支持页面评估板 应用实例罗姆SiC器件 什么是SiC?电子基础

S4008 数据手册

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S4008  
Datasheet  
N-channel SiC power MOSFET bare die  
VDSS  
RDS(on) (Typ.)  
ID  
650V  
60mW  
39A*1  
lFeatures  
lInner circuit  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching speed  
3) Fast reverse recovery  
4) Easy to parallel  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
*1 Body Diode  
5) Simple to drive  
lApplication  
Solar inverters  
DC/DC converters  
Switch mode power supplies  
Induction heating  
Motor drives  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
Value  
650  
Unit  
Drain - Source voltage  
V
A
*1  
Tc = 25°C  
Continuous drain current  
39  
ID  
*2  
Pulsed drain current  
97  
A
ID,pulse  
VGSS  
Gate - Source voltage (DC)  
Gate-Source Surge Voltage (tsurge < 300nsec)  
Recommended Drive Voltage  
Junction temperature  
V
-4 to +22  
-4 to +26  
0 / +18  
175  
*3  
V
VGSS_surge  
*4  
V
VGS_op  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
Range of storage temperature  
-55 to +175  
www.rohm.com  
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ2211114001  
TSQ50151-S4008  
14.Jun.2018 - Rev.001  
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