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S3883

更新时间： 2024-11-09 03:34:27

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HAMAMATSU		光电二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Si PIN photodiode Large area, high-speed Si PIN photodiodes

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S3883 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	METAL, TO-5, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	5.6
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大暗电源：	1 nA	红外线范围：	YES
标称光电流：	0.0014 mA	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	840 nm	最小反向击穿电压：	30 V
最大反向电压：	30 V	半导体材料：	Silicon
形状：	ROUND	尺寸：	1.5 mm
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

S3883 数据手册

P H O T O D I O D E

Si PIN photodiode

S3071 S3072 S3399 S3883

Large area, high-speed Si PIN photodiodes

S3071, S3072, S3399 and S3883 are Si PIN photodiodes having a relatively large active area from φ1.5 to φ5.0 mm yet they offer excellent

frequency response from 40 to 300 MHz. These photodiodes are suitable for spatial light transmission and high-speed pulsed light detection.

Features

Applications

Active area size

S3071: φ5.0 mm

S3072: φ3.0 mm

S3399: φ3.0 mm

S3883: φ1.5 mm

Cut-off frequency

S3071: 40 MHz (V

S3072: 45 MHz (V

Spatial light transmission

High-speed pulsed light detection

=24 V)

=10 V)

=20 V)

S3399: 100 MHz (V

S3883: 300 MHz (V

High reliability: TO-5/8 metal package

ꢀ General ratings / Absolute maximum ratings

Absolute maximum ratings

Power Operating

dissipation temperaturetemperature

Dimensional

Active

area size

Effective

active area

Reverse

voltage

VR Max.

(V)

Storage

Package

outline/

Window

Type No.

Topr

Tstg

material *¹

(mm)

TO-8

(mm)

φ5.0

φ3.0

φ1.5

(mm²)

19.6

7.0

1.7

(mW)

(°C)

S3071

ꢀ/K

S3072

S3399

S3883

-40 to +100 -55 to +125

TO-5

ꢀ Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 °C, unless otherwise noted)

Photo sensitivity

Short

circuit

current

Isc

100 lx

(µA)

6.5

5.6

1.4

Spectral Peak

Cut-off

frequency

Dark

current

Temp.

Terminal

capacitance

(A/W)

sensitivity

coefficient

response

range

NEP

wav elength

of ID

TCID

Type No.

λ=λp

(nA)

f=1 MHz

L=50

R Ω

λp

660 nm 780 nm 830 nm

λp

(nm)

920

Typ. Max.

0.5*³10 *³

0.3*³10 *³

0.1*⁴1.0 *⁴

(MHz)

40 *³

(pF)

18 *³

7 *³

(W/Hz^1/2)

(times/° C)

2.1 × 10^-14

1.6 × 10^-14

9.4 × 10^-15

6.7 × 10^-15

S3071

320 to 1060

0.6 0.47 0.54 0.56

0.6 0.45 0.58 0.6

1.15

S3072

S3399

S3883

45 *³

100 *⁴

300 *²

20 *⁴

6 *²

320 to 1000

840

1.12

0.05*²

1.0 *²

*1: Window material K: borosilicate glass

*2: V =20 V

*3: V =24 V

*4: V =10 V

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S3883-32.768K	PLETRONICS	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator, 32.768MHz Nom, CMOS, CERAMIC, LCC-4
S3883-32.768K-T500	PLETRONICS	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator, 0.032768MHz Nom, CERAMIC, LCC-4
S3883E-32.768K	PLETRONICS	获取价格	Oscillator
S3883E-32.768K-T1K	PLETRONICS	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC-4
S3883E-32.768K-T250	PLETRONICS	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC-4
S3883E-32.768K-T500	PLETRONICS	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC-4
S3884	HAMAMATSU	获取价格	Si APD Low bias operation, for 800 nm band
S3884-01	HAMAMATSU	获取价格	Avalanche Photodiode, TO-5, 3 PIN
S3884-02	HAMAMATSU	获取价格	Avalanche Photodiode, TO-5, 3 PIN
S3884-03	HAMAMATSU	获取价格	Avalanche Photodiode, TO-5, 3 PIN

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