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S29XS256RABBHW300

更新时间： 2024-01-26 16:12:33

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
71页	2815K
描述
Flash, 16X16, PBGA44, 6.20 X 7.70 MM, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, FPBGA-44

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S29XS256RABBHW300 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.74
JESD-30 代码：	R-PBGA-B44	长度：	7.7 mm
内存密度：	256 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	16 words
字数代码：	16	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16X16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.2 mm

S29VS/XS-R MirrorBit^®Flash Family

S29VS256R, S29VS128R, S29XS256R, S29XS128R

256/128 Mb (16/8 M x 16 bit)

1.8 V Burst Simultaneous Read/Write,

Multiplexed MirrorBit Flash Memory

S29VS/XS-R MirrorBit^®Flash Family Cover Sheet

Data Sheet (Advance Information)

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S29VS_XS-R_00

Revision 04

Issue Date March 10, 2009

12 3 4 5 6 7...71

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
S-29XX0A	SII	CMOS SERIAL EEPROM	获取价格
S-29XX1A	SII	CMOS SERIAL EEPROM	获取价格
S-29Z330ADFJA	SEIKO	256X16 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, SOP-8	获取价格
S-29Z330AFS	SEIKO	256X16 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, SSOP-8	获取价格
S-29Z430AFS	SEIKO	512X16 3-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, SSOP-8	获取价格
S-29ZX30A	ETC	Serial 3-wire EEPROMs	获取价格