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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOIC-16 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 7.8 | 其他特性： | IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1 |
| 备用内存宽度： | 2 | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 20 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | 长度： | 10.3 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP16,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 串行总线类型： | SPI |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7.5 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 500 ms |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| S25FL128P0XMFI001 | SPANSION |
类似代替  |
128 Megabit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 104-MHz SPI (Serial Peripheral Interface) Bus |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S25FL128SAGMFI003 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFI010 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFI011 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 32MX4, PDSO16, SOIC-16 |
|
| S25FL128SAGMFI011 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFI013 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFIG00 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFIG01 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 16MX8, PDSO16, SOIC-16 |
|
| S25FL128SAGMFIG01 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFIG03 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
| S25FL128SAGMFIG10 | INFINEON |
获取价格 |
Quad SPI Flash |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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