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S2306

更新时间： 2024-11-10 11:15:27

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
12页	793K
描述
S2306是基于SiC的平面型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

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S2306 数据手册

S2306

N-channel SiC power MOSFET bare die

Data Sheet

V_DSS

R_DS(on)(Typ.)

I_D

1200V

160mW

22A*¹

lFeatures

lInner circuit

(D)

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

(G) Gate

(D) Drain

(S) Source

(G)

*1 Body Diode

5) Simple to drive

(S)

lApplication

• Solar inverters

• DC/DC converters

• Switch mode power supplies

• Induction heating

• Motor drives

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

Gate - Source surge voltage (T_surge˂ 300nsec)

Junction temperature

-6 to 22

V_GSS-surge

-10 to 26

175

T_j

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

2016.02 - Rev.C

1/11

12 3 4 5 6 7...12

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