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S2303

更新时间: 2024-11-28 11:08:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 电子开关
页数 文件大小 规格书
12页 649K
描述
S2303是SiC功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 SiC支持页面评估板 应用实例罗姆SiC器件 什么是SiC?电子基础

S2303 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.67峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

S2303 数据手册

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S2303  
Datasheet  
N-channel SiC power MOSFET bare die  
VDSS  
RDS(on) (Typ.)  
ID  
1200  
80m  
40A*1  
Features  
Inner circuit  
1) Low on-resistance  
2) Fast switching speed  
3) Fast reverse recovery  
4) Easy to parallel  
(2)  
(1) Gate  
(2) Drain  
(3) Source  
*1  
(1)  
*1 Body Diode  
5) Simple to drive  
(3)  
Application  
Solar inverters  
DC/DC converters  
Switch mode power supplies  
Induction heating  
Motor drives  
Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
Value  
1200  
Unit  
Drain - Source voltage  
V
A
*1  
Tc = 25°C  
Continuous drain current  
40  
ID  
*2  
Pulsed drain current  
140  
A
ID,pulse  
VGSS  
Gate - Source voltage (DC)  
Gate - Source surge voltage (tsurge < 300nsec)  
Junction temperature  
V
6 to 22  
10 to 26  
175  
*3  
V
VGSS_surge  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
Range of storage temperature  
55 to 175  
www.rohm.com  
© 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2017.04 - Rev.A  
1/11  

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