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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AC |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | ANODE | 标称电路换相断开时间： | 35 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 175 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 20 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 40 mA | JEDEC-95代码： | TO-220AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 12 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S2012R54V | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R55 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R55V | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R56 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R57 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R57V | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R58 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R58V | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R59V | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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| S2012R65 | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, |
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