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S-AU82H

更新时间： 2024-11-18 21:04:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 高功率电源放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
RF/Microwave Amplifier, 450 MHz - 520 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER, 5-53P, 4 PIN

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S-AU82H 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLNG,2.4"H.SPACE
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.67
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：30.7 dB最大输入功率 (CW)：20 dBm
功能数量：1最大工作频率：520 MHz
最小工作频率：450 MHz最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-30 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：FLNG,2.4"H.SPACE电源：12.5 V
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
技术：HYBRID最大电压驻波比：3
Base Number Matches：1

S-AU82H 数据手册

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S-AU82H  
TOSHIBA RF POWER AMPLIFIER MODULE  
S-AU82H  
○FM RF POWER AMPLIFIER MODULE for UHF BAND  
･Output Power :60W (Min.)  
･Power Gain :30.7dB (Min.)  
･Total Efficiency:40% (Min.)  
MAXIMUM RATINGS  
Z = Z = 50Ω  
(Tc = 25℃,  
)
G
L
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
RATING  
UNIT  
DC Supply Voltage  
DC Supply Voltage  
DC Supply Voltage  
Total Current  
V
V
V
V
=0V, Pi =0mW  
16.5  
16.5  
V
V
DD  
DD  
GG  
GG  
≦5V, Pi =50mW, Po≦60W  
GG  
V
V ≦12.5V, Pi =50mW  
DD  
5.5  
V
I
V ≦12.5V, Pi =50mW  
DD  
15  
A
T
Input Power  
P
V ≦12.5V, V ≦5V  
100  
mW  
W
℃
℃
i
DD  
GG  
Output Power  
P
12.5V< V ≦16.5V, V ≦5V, Pi =50mW  
80  
o
DD  
GG  
Operating Case Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
V
GG  
≦5V  
-30~100  
-40~110  
c (opr)  
T
stg  
Caution: This maximum rating given in a sheet guarantees each item independently. When two items  
or more of maximum rated items joins a device at once. It becomes the outside of a guarantee.  
Please design in circuit to make it always operate within this reguration also on the worst condition.  
PACKAGE OUTLINE  
Unit in mm  
⑤
①
②
③
④
①RF Input  
②VGG  
③VDD  
④RF Outout ⑤ GROUND(FRANGE)  
JEDEC  
JEITA  
—
—
TOSHIBA  
5-53P  
Weight: 35g  
1
2004-01-06  
1234

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