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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RXH070N03TB1 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| RXH090N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RXH090N03TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| RXH090N03TB1 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| RXH100N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RXH100N03TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RXH125N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RXH162244DIE2V | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage CMOS 16-bit bus buffer (3-state non inverter) with 3.6 V tolerant inputs and o |
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| RX-H201SD-1190 | ETC |
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Disconnectable Crimp style connectors |
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| RX-H201TD-1190 | ETC |
获取价格 |
Disconnectable Crimp style connectors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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