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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RXH090N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RXH090N03TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| RXH090N03TB1 | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| RXH100N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RXH100N03TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| RXH125N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RXH162244DIE2V | STMICROELECTRONICS |
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Low voltage CMOS 16-bit bus buffer (3-state non inverter) with 3.6 V tolerant inputs and o |
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| RX-H201SD-1190 | ETC |
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Disconnectable Crimp style connectors |
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| RX-H201TD-1190 | ETC |
获取价格 |
Disconnectable Crimp style connectors |
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| RX-H341SD-1190 | ETC |
获取价格 |
Disconnectable Crimp style connectors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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