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RUM002N02

更新时间： 2022-12-17 00:29:59

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罗姆 - ROHM		驱动
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描述
1.2V Drive Nch MOSFET

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RUM002N02 数据手册

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1.2V Drive Nch MOSFET

RUM002N02

zStructure

zDimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel

MOSFET

VMT3

zApplications

Switching

(1)Gate

(2)Souce

(3)Drain

zFeatures

1) Fast switching speed.

Abbreviated symbol : QR

2) Low voltage drive (1.2V) makes this

device ideal for portable equipment.

3) Drive circuits can be simple.

zInner circuit

(3)

zPackaging specifications

Package

Code

Taping

T2L

(1)

∗2

Type

Basic ordering unit

(pieces)

8000

∗1

RUM002N02

(2)

(1) Gate

(2) Source

(3) Drain

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

Limits

Unit

V

VDSS

GSS

20

8

V

V

Continuous

Pulsed

I

D

200

mA

mA

mW

°C

Drain current

1

∗

I

DP

400

2

∗

Total power dissipation

Channel temperature

PD

150

Tch

150

Range of storage temperature

Tstg

−55 to +150

°C

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Rth(ch-a) ^∗

Limits

833

Unit

Channel to ambient

∗ Each terminal mounted on a recommended land

°C / W

www.rohm.com

2009.07 - Rev.A

1/4

c

○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

12 3 4 5

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