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RU4030M2

更新时间： 2024-04-09 18:59:32

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锐骏半导体 - RUICHIPS		/
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8页	424K
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DFN3333

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RU4030M2 数据手册

RU4030M2

Typical Characteristics

Output Characteristics

Drain-Source On Resistance

150

120

10V

4.5V

10V

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

I_D- Drain Current (A)

Drain-Source On Resistance

Source-Drain Diode Forward

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

V_GS=10V

I_D=20A

T_J=150°C

T_J=25°C

Rds(on)=11mΩ

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-50

-25

100 125 150

V_SD- Source-Drain Voltage (V)

T_J- Junction Temperature (°C)

Capacitance

Gate Charge

1000

800

600

400

200

VDS=32V

IDS=20A

Frequency=1.0MHz

Ciss

Coss

Crss

100

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Q_G- Gate Charge (nC)

Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. A– Jul., 2018

www.ruichips.com

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