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RU3582R

更新时间： 2022-11-12 00:21:15
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
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12页 495K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU3582R 数据手册

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RU3582R  
Typical Characteristics  
Drain-Source On Resistance  
Source-Drain Diode Forward  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Capacitance  
VSD - Source-Drain Voltage (V)  
Gate Charge  
VDS - Drain-Source Voltage (V)  
QG - Gate Charge (nC)  
5
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. B– MAR., 2011  
www.ruichips.com  
12345678...12

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