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RU3582R

更新时间： 2022-11-12 00:21:15

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锐骏半导体 - RUICHIPS		/
页数	文件大小	规格书
12页	495K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU3582R 数据手册

RU3582R

Typical Characteristics

Output Characteristics

Drain-Source On Resistance

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Drain-Source On Resistance

I_D- Drain Current (A)

Gate Threshold Voltage

V_GS- Gate-Source Voltage (V)

T_j- Junction Temperature (°C)

CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. B– MAR., 2011

www.ruichips.com

1 2 345 6 7...12

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