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RU3415EB

更新时间： 2024-04-09 19:01:57

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锐骏半导体 - RUICHIPS		/
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SOT23

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RU3415EB 数据手册

RU40C40M

Typical Characteristics(N-Channel)

Power Dissipation

Drain Current

VGS=10V

100

125

150

100

125

150

T_j- Junction Temperature (°C)

Drain Current

Safe Operation Area

1000

Ids=20A

100

10µs

100µs

1ms

10ms

0.1

0.01

T_A=25°C

0.01

0.1

100

1000

V_GS- Gate-Source Voltage (V)

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Thermal Transient Impedance

1000

Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse

100

Single Pulse

R_θ_JC=3°C/W

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

Square Wave Pulse Duration (sec)

Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. A– JAN., 2017

www.ruichips.com

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