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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> RTQ045N03TR
RTQ045N03TR PDF预览

RTQ045N03TR

更新时间： 2024-11-27 12:27:31
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
2.5V Drive Nch MOS FET

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RTQ045N03TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.09
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RTQ045N03TR 数据手册

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RTQ045N03  
Transistors  
2.5V Drive Nch MOS FET  
RTQ045N03  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zStructure  
Silicon N-channel  
MOS FET  
TSMT6  
1.0MAX  
2.9  
1.9  
0.95 0.95  
0.85  
0.7  
(6)  
(5)  
(4)  
zFeatures  
1) Low on-resistance.  
0~0.1  
(1)  
(2)  
(3)  
2) Built-in G-S Protection Diode.  
3) Small Surface Mount Package (TSMT6) .  
1pin mark  
0.16  
0.4  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : QM  
zApplication  
Power switching, DC / DC converter.  
zPackaging specifications  
zEquivalent circuit  
Package  
Taping  
TR  
(6)  
(5)  
(4)  
(6) (5) (4)  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
∗2  
RTQ045N03  
(1) (2) (3)  
∗1  
(1) Drain  
(2) Drain  
(3) Gate  
(4) Source  
(5) Drain  
(6) Drain  
(1)  
(2)  
(3)  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
30  
Unit  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
V
V
∗A protection diode is included between the gate and  
the source terminals to protect the diode against static  
electricity when the product is in use. Use the protection  
circuit when the fixed voltages are exceeded.  
12  
Continuous  
Pulsed  
4.5  
A
Drain current  
∗1  
IDP  
18  
A
Source current  
(Body diode)  
Continuous  
Pulsed  
IS  
1.0  
A
∗1  
∗2  
ISP  
4.0  
A
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 Mounted on a ceramic board.  
PD  
1.25  
150  
W
°C  
°C  
Tch  
Tstg  
−55~+150  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Rth (ch-a)∗  
Limits  
100  
Unit  
°C / W  
Channel to ambient  
∗ Mounted on a ceramic board.  
Rev.C  
1/3  
1234

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RTQ045N03TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
IRFR4615TRLPBF INFINEON

功能相似

 High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
FDC855N FAIRCHILD

功能相似

 Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ M

与RTQ045N03TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RTQ-10V101MG10UQ-R2 TAIYO YUDEN

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