Real time clock
8bitリ アルタイムクロ ックモジュ ール
RTC-64611/64613
●水晶振 動 子 内蔵で無調整、合 理化可能
●8ビット・データバスおよび、高速アクセス(85ns Max.)
●SRAMと同一のバスインタフェースおよびバッテリ
ꢀバックアップ
●秒~日 ・曜日 のアラーム割り込みおよび桁 上 げ割り込み
ꢀ可能
●1Hz~64Hzレジスタのリードライトが可能
●うるう年 自動 設定(西暦)
●1Hz出力端子
●START/STOP、30秒ADJUST機能
●汎用 のSMD ICと同等 の実 装 方 法 可能(RTC-64613)
原
寸 大
■仕 ꢀ様(特性 )
■端子接続図
(RTC-64611、64613共 通)
絶
対最大定格
項ꢀꢀ
記
条 件
仕 ꢀꢀꢀꢀꢀ様 単 位
。
242322212019181716151413
No. ピン端子 No. ピン端子
電 源 電 圧
入 力 電 圧
VDD
Ta= 25C
。
-0.5~7.0
-0.5~VDD+0.3
-55~+85
V
1ꢀ GND
24ꢀ VDD
23ꢀ(VDD)
22ꢀ(VDD)
21ꢀ NC
20ꢀ WE
19ꢀ OE
18ꢀ CS
17ꢀ I/O8
16ꢀ I/O7
VIN
Ta= 25C
2
H‐START/STOP
RTC-64611
。
3ꢀ IRQ
保 存
温 度 TSTG
C
4ꢀ 1Hz
5ꢀ A3
6ꢀ A2
RTC-64613
RTC-64611
-55~+125
。
260C以下×10秒以内(リ ード部)
。
7ꢀ A1
(パッケージ部150C以下)
8ꢀ A0
ハンダ付け条件
TSOL
。
1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112
9ꢀ I/O1
10ꢀ I/O2
260C以下×10秒以内×2回以下または
RTC-64613
。
15ꢀ I/O6
230C以下×3分以内のいずれか
(VDD):VDDと同電位です。外部接
続しないでください。
11ꢀ I/O3
12ꢀ GND 13ꢀ I/O4
14ꢀ I/O5
NC :内部接
続
されていません。
動作 条件
項ꢀꢀ
記
条ꢀꢀ件
仕 ꢀꢀꢀ様 単 位
電 源 電 圧
VDD
4.5~5.5
-20~+75
2.0~4.5
V
。
動 作
温 度 TOPR
C
デ
ータ保持電圧
VDH
V
CS≧ VDD-0.2V
CSデ ータ保持時間
tCDR
0min.
tRC(85nsec.)
ns
■外形 寸法 図
(単位: mm)
動作 回復時間
tR
●RTC-64611
周波 数特
性 ・消
費電流
特
性
項ꢀꢀ
記
条ꢀꢀꢀ件
仕 ꢀꢀ様 単 位
RTC64611 A
EPSON 5101A
64611A
64611B
+
15/-5(5± 10)
。
Ta= 25C
+55/-45(5± 50)
周 波 数 精 度 ꢀf/fo
64613A +25/-15(5± 20)
VDD= 5V
32.0max.
64613
+
55/-45(5± 50) ppm
+10/-120
準)
。
。
15.24
-10~+70C(25C基
周波 数温度特
性
ージング量
耐 衝 撃 性
。
。
-20~+75C(25C基
準
)+10/-220
5max.
V = 5V,Ta= 25 C,ꢀ初年 度
。
±
ppm/
年
エ
fa
DD
硬木上 75cm×3回または3000G×
S.R.
IDD1
± 10max.
ppm
0.3ms×1/2SineWave×3方向
無
負荷
VDD= 5V 2max. mA
消
費 電 流
μA
IDD2
VDD= 2V
2max.
CS≧ 1.8V
●RTC-64613
電気的特
。
性
(※特
記なき場合 は、Ta=-20~+75C)
V = 5V± 10% VDD= 2V
16.3max.
DD
項ꢀꢀ目 記号 測 定 条 件 単 位
Min. Max. Min. Max.
入力“
H”レベル電圧
VIH
2.2
VDD
V
DD-0.2 VDD
V
RTC64613 A
入力“
L”レベル電圧
VIL
-0.3 0.8 -0.3 0.2
入力リ ーク電流
IIN
± 2
± 10
± 2
± 10
EPSON 9360A
スリ ーステ ートリ ーク電流
ITSL
μA
出力リ ーク電流
ILOH
出力“
H”レベル電圧
VOH IOH= -1mA 2.4
(1HZ,IRQを除
く)
V
出力“
L”レベル電圧
IOL= 2.1mA
VOL
0.4
1.0
0.05min.
VIN= 0V
入
出
力
力
容
容
量
量
CIN
。
Ta= 25C
pF
12.5
COUT
f= 1.0MHz
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