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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | QFF, TPAK196,2.5SQ,25 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | 其他特性： | 15000 PLD EQUIVALENT GATES AVAILABLE |
| 最大时钟频率： | 85 MHz | CLB-Max的组合延迟： | 3.5 ns |
| JESD-30 代码： | S-CQFP-F196 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 34.29 mm | 可配置逻辑块数量： | 848 |
| 等效关口数量： | 18000 | 输入次数： | 168 |
| 逻辑单元数量： | 848 | 输出次数： | 168 |
| 端子数量： | 196 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 848 CLBS, 18000 GATES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QFF |
| 封装等效代码： | TPAK196,2.5SQ,25 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 可编程逻辑类型： | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 2.9464 mm | 子类别： | Field Programmable Gate Arrays |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 总剂量： | 28k Rad(Si) V |
| 宽度： | 34.29 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RT1460A-STDCQ196C | MICROSEMI |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 85MHz, 848-Cell, CMOS, CQFP196, |
|
| RT1460A-STDCQ196E | MICROSEMI |
获取价格 |
Field Programmable Gate Array, 848 CLBs, 18000 Gates, 85MHz, 848-Cell, CMOS, CQFP196, CERA |
|
| RT1460B6 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1460B6TR13 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1460B6TR7 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1460B7 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1460B7TR13 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1460B7TR7 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1463B6 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
|
| RT1463B6TR13 | CTS |
获取价格 |
DDR SDRAM Terminator RoHS Compliant Parts Available |
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