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RSF010P05

更新时间： 2024-01-18 05:13:00
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罗姆 - ROHM 驱动
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7页 1227K
描述
4V Drive Pch MOSFET

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RSF010P05 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.71配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：45 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.46 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RSF010P05 数据手册

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Data Sheet  
RSF010P05  
ꢀ
Fig.8 Typical Transfer Characteristics  
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current  
10  
1
10  
VDS=-10V  
pulsed  
VDS=-10V  
pulsed  
Ta=125°C  
Ta=75°C  
Ta=25°C  
Ta=-25°C  
1
Ta=125°C  
Ta=75°C  
Ta=25°C  
Ta=-25°C  
0.1  
0.1  
0.01  
0.001  
0.01  
0.001  
0.01  
0.1  
Drain Current : -ID [A]  
1
10  
2.0  
10  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
Gate-Source Voltage : -VGS [V]  
Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage  
Fig.9 Source Current vs. Source-Drain Voltage  
1500  
10  
VGS=0V  
pulsed  
Ta=25°C  
Pulsed  
ID=-0.5A  
ID=-1.0A  
1000  
1
Ta=125°C  
Ta=75°C  
Ta=25°C  
Ta=-25°C  
500  
0.1  
0
0.01  
0
2
4
6
8
10  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
Gate-Source Voltage : -VGS [V]  
Source-Drain Voltage : - VSD [V]  
Fig.11 Switching Characteristics  
V
Fig.12 Dynamic Input Characteristics  
1000  
100  
10  
10  
8
DD≒-25V  
Ta=25°C  
VGS=-10V  
RG=10Ω  
Ta=25°C  
Pulsed  
VDD=-25V  
ID=-1.0A  
Pulsed  
tf  
6
td(off)  
4
td(on)  
2
tr  
1
0
0.01  
0.1  
1
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
Total Gate Charge : Qg [nC]  
Drain Current :- ID [A]  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
4/6  
2011.03 - Rev.A  
1234567

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