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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> RSF05G1-5P
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RSF05G1-5P

更新时间： 2024-01-16 12:48:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极触发装置可控硅整流器开关
页数 文件大小 规格书
6页 312K
描述
LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS

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RSF05G1-5P 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：PLASTIC, 13-5A1A, SC-43, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR BETWEEN GATE AND CATHODE
最大直流栅极触发电流：0.25 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：2 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：0.8 A
重复峰值关态漏电流最大值：10 µA断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

RSF05G1-5P 数据手册

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RSF05G1−1P,RSF05G1−3P,RSF05G1−5P  
TOSHIBA THYRISITOR SILICON PLANAR TYPE  
RSF05G1−1P,RSF05G1−3P,RSF05G1−5P  
LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS  
Unit: mm  
l Repetitive Peak Off−State Voltage : V  
= 400V  
= 400V  
DRM  
RRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
l Average On−State Current  
l Plastic Mold Type  
: V  
: I  
= 500mA  
T (AV)  
l Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing  
Process Because of Built-in R  
: R  
= 1kΩ, 2.7kΩ, 5.1kΩ  
(Typical)  
GK  
GK  
MAXIMUM RATINGS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
RSF05G1−1P  
RSF05G1−3P  
RSF05G1−5P  
RSF05G1−1P  
RSF05G1−3P  
RSF05G1−5P  
400  
400  
400  
500  
500  
500  
Repetitive Peak  
Off−State Voltage and  
Repetitive Peak  
V
V
DRM  
RRM  
Reverse Voltage  
Non−Repetitive Peak  
Reverse Voltage  
V
V
DSM  
(Non−Repetitive<  
5ms, Tj = 0~125°C)  
JEDEC  
TO−92  
SC−43  
13−5A1A  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight: 0.2g  
Average On−State Current  
I
500  
mA  
mA  
T(AV)  
(Half Sine Waveform)  
R.M.S. On−State Current  
I
800  
9 (50Hz)  
10 (60Hz)  
0.4  
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge On−State  
Current (Non−Repetitive)  
I
A
TSM  
2
2
2
I t Limit Value  
I t  
A s  
Critical Rate of Rise of On−State  
di / dt  
10  
A / µs  
Current  
EQUIVALENT CIRCUIT  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Voltage  
Peak Reverse Gate Voltage  
Peak Forward Gate Current  
Junction Temperature  
P
0.1  
0.01  
W
W
V
GM  
P
G(AV)  
V
3.5  
FGM  
RGM  
V
−5  
V
I
125  
mA  
°C  
°C  
GM  
T
−40~125  
−40~125  
j
Storage Temperature  
T
stg  
Note: di / dt Test Condition, i = 5mA, t = 10µs, t ≤ 250ns  
gw gr  
G
1
2001-07-10  
123456

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