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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 1.71 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 45 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.46 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RSF014N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RSF014N03_07 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RSF015N06 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RSF015N06FRA | ROHM |
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RSF015N06FRA是适合开关用途的车载型高可靠性MOSFET。 |
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| RSF05G1-1P | TOSHIBA |
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LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS |
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| RSF05G1-3P | TOSHIBA |
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LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS |
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| RSF05G1-5P | TOSHIBA |
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LOW POWER SWITCHING AND CONTROL APPLICATIONS |
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| RSF0805 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, Silicon, TO-254, 3 PIN |
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| RSF0810 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, Silicon, TO-254, 3 PIN |
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| RSF0815 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, Silicon, TO-254, 3 PIN |
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