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RP1HWS

更新时间: 2024-11-18 13:13:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 19K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon

RP1HWS 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.68
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.1 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

RP1HWS 数据手册

  
Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
trr  
(ns)  
IF  
trr  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
Rth (j-  
)
(ns)  
(µA)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
A
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
100°C max  
IF  
(A)  
/
IRP  
IF  
/IRP  
max  
(°C/ W)  
(g)  
Ta  
=
(mA)  
(mA)  
2000  
1000  
0.1  
0.4  
5
7.0 0.1  
4.0 0.4  
20  
5
10  
100 10/10  
10/20  
RP 1H  
RU 1P  
–40 to +150  
50  
15  
0.4  
10  
50  
100 100/100  
100/200  
RP 1H  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
0.5  
0.1  
0.1  
5
4
3
20ms  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
=
T
a
150ºC  
100ºC  
25ºC  
2
1
0.01  
0.001  
0
0
0
0
1
5
10  
50  
25  
50  
75  
100  
125 150  
1
2
3
4
5
6
7
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RU 1P  
VF —IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
2
1
0.4  
10  
L=10mm  
L=10mm  
=
T
a
100ºC  
20ms  
8
6
Solder  
180• 100• 1.6t  
10mm  
Copper Foil  
P.C.B  
0.3  
0.2  
0.1  
25ºC  
0.1  
4
2
0.01  
0.001  
0
0
0
0
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
1
5
10  
50  
25  
50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
(Unit: mm)  
Fig.  
A
0.78±0.05  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
4.0±0.2  
39  

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