RP1HWS

更新时间： 2024-09-21 13:13:03

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三垦 - SANKEN		整流二极管
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1页	19K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon

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RP1HWS 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RP1HWS 数据手册

Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes

Electrical Characteristics (Ta =25°C)

Absolute Maximum Ratings

Others

Mass

Parameter

t_rr

(ns)

I_F

t_rr

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

(°C)

Tstg

(°C)

V_F

(V)

I_R

(µA)

I_R

(H)

➀

➁

Rth (j-

)

(ns)

(µA)

V_RM

(V)

I_{F (AV)}

(A)

Fig.

Type No.

V_R=VRM

max

V_R=VRM

100°C max

I_F

(A)

I_RP

I_F

/I_RP

max

(°C/ W)

(g)

(mA)

2000

1000

0.1

0.4

7.0 0.1

4.0 0.4

100 10/10

10/20

RP 1H

RU 1P

–40 to +150

0.4

100 100/100

100/200

RP 1H

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

0.5

0.1

20ms

0.08

0.06

0.04

0.02

150ºC

100ºC

25ºC

0.01

0.001

100

125 150

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

RU 1P

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

0.4

L=10mm

100ºC

20ms

Solder

180• 100• 1.6t

10mm

Copper Foil

P.C.B

0.3

0.2

0.1

25ºC

0.1

0.01

0.001

1.0

2.0

3.0

4.0

100

125 150

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

External Dimensions

(Unit: mm)

Fig.

0.78^±0.05

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

Cathode Mark

4.0^±0.2

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