RN47A5JE

更新时间： 2024-01-01 04:09:20

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
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7页	273K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN47A5JE 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F5
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

RN47A5JE 数据手册

RN47A5JE

TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type

(PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN47A5JE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Unit: mm

Driver Circuit Applications

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and lowers assembly cost.

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

1.EMITTER1

(E1)

(B1)

(E2)

2.BASE1

3.EMITTER2

4.COLLECTOR2 (C2)

5.COLLECTOR1 (C1)

BASE2

(B2)

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-2P1E

Weight: 0.003g (typ.)

R1: 47 kΩ, R2: 47 kΩ

R1: 4.7 kΩ, R2: 10 kΩ

Q1: RN1104F

Q2: RN2116F

Marking

Equivalent Circuit (top view)

2 5

2007-11-01

12 3 4 5 6 7

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