5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.08 | 构造： | MODULE |
| 最大变频损耗： | 9.8 dB | 最大输入功率 (CW)： | 1 dBm |
| JESD-609代码： | e4 | 最大工作频率： | 1900 MHz |
| 最小工作频率： | 5 MHz | 射频/微波设备类型： | DOUBLE BALANCED |
| 端子面层： | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RMS132AF-10E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132AF-6E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132AF-75E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132AW | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132AW-10E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132AW-6E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132AW-75E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132UAF-10E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132UAF-6E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
| RMS132UAF-75E | EMLSI |
获取价格 |
512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
