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RMPA39000

更新时间： 2024-01-24 17:07:18

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
10页	207K
描述
37-40 GHz GaAs MMIC Power Amplifier

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RMPA39000 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE OR CHIP	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	20 dB
最大输入功率 (CW)：	20 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	37000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

RMPA39000 数据手册

June 2004

RMPA39000

37–40 GHz GaAs MMIC Power Amplifier

General Description

Features

The Fairchild Semiconductor RMPA39000 is

high

• 24dB small signal gain (typ.)

efficiency power amplifier designed for use in point to point

and point to multi-point radios, and various communi-

cations applications. The RMPA39000 is a 3-stage GaAs

MMIC amplifier utilizing our advanced 0.15µm gate length

Power PHEMT process and can be used in conjunction

with other driver or power amplifiers to achieve the required

total power output.

• 29dBm saturated power out (typ.)

• Circuit contains individual source vias

• Chip size 4.28mm x 2.90mm x 50µm

Device

Absolute Ratings

Symbol

Parameter

Positive DC Voltage (+5V Typical)

Ratings

Units

-2

Negative DC Voltage

Vdg

Simultaneous (Vd–Vg)

Positive DC Current

1092

dBm

°C

RF Input Power (from 50Ω source)

Operating Baseplate Temperature

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (Channel to Backside)

+20

-30 to +85

-55 to +125

°C

STG

°C/W

RMPA39000 Rev. D

12 3 4 5 6 7...10

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