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RMPA61800

更新时间： 2024-09-28 09:46:23
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雷神 - RAYTHEON 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
7页 383K
描述
Dual Channel 6-18 GHz 2 Watt Power Amplifier MMIC

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RMPA61800 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72Is Samacsys：N
功能数量：2封装等效代码：DIE OR CHIP
电源：8 V子类别：RF/Microwave Amplifiers
技术：GAASBase Number Matches：1

RMPA61800 数据手册

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RMPA61800  
Dual Channel 6-18 GHz 2 Watt Power  
Amplifier MMIC  
PRELIMINARY INFORMATION  
The Raytheon RMPA61800 is a fully monolithic dual channel power amplifier operating over the 6.0 to 18.0 GHz  
frequency band. The amplifier uses a .25 micron Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT)  
process to maximize efficiency and output power. The chip configuration incorporates two stages of reactively  
combined amplifiers at the output preceded by an input amplifier stage. Two identical amplifier channels are  
provided to achieve a typical total combined (using an off-chip combiner) output power of 33 dBm at 3 dB gain  
compression. A single channel provides typically, 18 dB small signal gain and 31 dBm output power at 1 dB gain  
compression.  
Description  
Features  
ꢀ Two Identical Channels  
ꢀ 21.0 dB Typical Small Signal Gain, Single Channel  
ꢀ 2.0:1 Typical Input SWR, 2.5:1 Typical Output SWR, Single Channel  
ꢀ 31 dBm Output Power at 1 dB Gain Compression, Single Channel  
ꢀ 32 dBm Output Power at 3 dB Gain Compression, Single Channel  
ꢀ 34 dBm Output Power at 1 dB Gain Compression, Dual Channel  
ꢀ 22% Typical Power Added Efficiency at 1 dB Gain Compression  
ꢀ Chip size: 6.55 mm x 5.15 mm x 0.1 mm  
Absolute  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Maximum  
Positive Drain DC Voltage  
Negative DC Voltage  
Simultaneous (Vd-Vg)  
RF CW Input Power (50 Ω source)  
Drain Current  
Vd  
Vg  
Vdg  
Pin  
Id  
8.5  
-2  
+10.5  
27  
V
V
V
dBm  
A
Ratings  
(Single Channel)  
1.2  
Storage Temperature  
Operating Base Plate Temp  
Tstg  
Tc  
-55 to +125  
-40 to +85  
°C  
°C  
Thermal Resistance  
(Channel to Backside)  
Rjc  
12  
°C/W  
Performance  
Parameter  
Min  
Typ Max Unit  
Parameter  
Min  
Typ  
Max Unit  
Characteristics  
Frequency Range  
Small Signal Gain  
P1dB Compression  
P3dB Compression  
PAE at 1 dB Gain Comp.  
6.0  
15  
28  
30  
12  
18.0 GHz  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
Gate Voltage (Vg)1  
Gain vs. Temp. 0~85°C  
9.5  
7.4  
-0.4  
dB  
dB  
V
(at 25°C)  
50 Ω system,  
21  
31  
32  
22  
dB  
dBm  
dBm  
%
Vd=+8V, Quiescent  
Current (Idq=600 mA)  
-0.025  
dB/°C  
Note: Quiescent Bias VD = +8V, ID = 600mA/channel, TC = +25°C.  
Characteristic performance data and specifications are subject to change without notice.  
www.raytheonrf.com  
Raytheon RF Components  
362 Lowell Street  
Revised January 25, 2002  
Andover, MA 01810  
Page 1  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RMPA61810 FAIRCHILD

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 		Single Channel 6-18 GHz 1 Watt Power Amplifier MMIC
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