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RMPA5251

更新时间： 2024-01-26 01:13:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
10页 500K
描述
4.90-5.85 GHz InGaP HBT Linear Power Amplifier

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RMPA5251 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：3 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEADLESS, QFN-16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：28 dB最大输入功率 (CW)：10 dBm
最大工作频率：5850 MHz最小工作频率：4900 MHz
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
射频/微波设备类型：NARROW BAND MEDIUM POWER端子面层：NOT SPECIFIED
最大电压驻波比：8Base Number Matches：1

RMPA5251 数据手册

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October 2004  
RMPA5251  
4.90–5.85 GHz InGaP HBT Linear Power Amplifier  
• 2.5% EVM at 18.0dBm modulated power out  
General Description  
• 3.3V single positive supply operation  
• Adjustable bias current operation  
The RMPA5251 power amplifier is designed for high  
performance WLAN applications in the 4.9 to 5.35 and 5.15  
to 5.85 GHz frequency bands. The low profile 16 pin 3 x 3  
x 0.9 mm package with internal matching on both input and  
output to 50Ω minimizes next level PCB space and allows  
for simplified integration. The on-chip detector provides  
power sensing capability while the logic control provides  
power saving shutdown options. The PA’s low power  
consumption and excellent linearity are achieved using our  
InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) technology.  
• Two power saving shutdown options (bias and logic  
control)  
• Integrated power detector with >18dB dynamic range  
• Low profile 16 pin 3 x 3 x 0.9 mm standard QFN leadless  
package  
• Internally matched to 50Ω  
Device  
• Minimal external components  
Features  
• Optimized for use in IEEE 802.11a  
WLAN applications  
• 4.9 to 5.85 GHz Operation  
• 27dB small signal gain  
• 26dBm output power @ 1dB compression  
1,3  
Electrical Characteristics 802.11a OFDM  
Modulation (with 176ms burst time, 100ms idle time) 54Mbps Data Rate, 16.7 MHz Bandwidth  
Parameter  
Minimum Typical Maximum  
Minimum Typical Maximum  
Unit  
GHz  
V
10  
Frequency  
4.90  
3.0  
5.35  
3.6  
5.15  
3.0  
5.85  
3.6  
Supply Voltage  
Gain  
3.3  
27  
3.3  
28  
dB  
Total Current @ 18dBm P  
250  
260  
2.5  
240  
250  
2.5  
mA  
mA  
%
OUT  
OUT  
Total Current @ 19dBm P  
2
EVM @ 18dBm P  
EVM @ 19dBm P  
OUT  
OUT  
2
3.5  
3.5  
%
Detector Output @ 19dBm P  
450  
5.0  
500  
5.0  
mV  
dBm  
dBm  
OUT  
4
Detector Threshold  
5, 6  
P
Spectral Mask Compliance  
21.0  
20.0  
OUT  
1
Electrical Characteristics Single Tone  
Parameter  
Minimum Typical Maximum  
Minimum Typical Maximum  
Unit  
GHz  
V
10  
Frequency  
4.90  
3.0  
5.35  
3.6  
5.15  
3.0  
5.85  
3.6  
Supply Voltage  
3.3  
27  
3.3  
27.5  
7
Gain  
dB  
7, 11  
Total Quiescent Current  
140–220  
140–220  
mA  
Notes:  
1. VC1, VC2, VC3, VM1, VM2, VM3 = 3.3 Volts, Tc=25°C, PA is constantly biased, 50Ω system.  
2. Percentage includes system noise floor of EVM=0.8%.  
3. Not measured 100% in production.  
4. P  
measured at P corresponding to power detection threshold.  
OUT  
IN  
5. Measured at P at which Spectral Mask Compliance is satisfied. Two-sample windowing length applied.  
IN  
6. P is adjusted to point where performance approaches spectral mask requirements.  
IN  
7. 100% Production screened.  
8. Bias Current is included in the total quiescent current.  
9. VL is set to logic level for device off operation.  
10. See Application information on Page 3.  
11. See Data on Page 8.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
RMPA5251 Rev. D  
1234567...10

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RMPA5251 替代型号

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