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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> RMPA61810
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RMPA61810

更新时间： 2024-01-15 16:49:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
6页 551K
描述
Single Channel 6-18 GHz 1 Watt Power Amplifier MMIC

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RMPA61810 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72构造：COMPONENT
增益：15 dB最大工作频率：18000 MHz
最小工作频率：6000 MHz射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER
最大电压驻波比：2.5Base Number Matches：1

RMPA61810 数据手册

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March 2004  
RMPA61810  
Single Channel 6-18 GHz 1 Watt Power Amplifier MMIC  
General Description  
Features  
The Fairchild Semiconductor RMPA61810 is  
a
fully  
• 21dB Typical Small Signal Gain  
monolithic power amplifier operating over the 6.0 to 18.0  
GHz frequency band. The amplifier uses a 0.25 micron  
Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT)  
process to maximize efficiency and output power. The chip  
configuration incorporates two stages of reactively  
combined amplifiers at the output preceded by an input  
amplifier stage. This single channel amplifier provides  
typically, 21dB small signal gain and 31dBm output power  
at 1dB gain compression.  
• 2.0:1 Typical Input VSWR, 2.5:1 Typical Output VSWR  
• 31dBm Output Power at 1dB Gain Compression  
• 32dBm Output Power at 3dB Gain Compression  
• 22% Typical Power Added Efficiency at 1dB Gain  
Compression  
• Chip size: 6.55mm x 2.67mm x 0.1mm  
Device  
Absolute Ratings  
Symbol  
Parameter  
Positive Drain DC Voltage  
Ratings  
8.5  
Units  
V
Vd  
Vg  
Vdg  
Pin  
Id  
Negative DC Voltage  
-2  
V
Simultaneous (Vd–Vg)  
+10.5  
27  
V
RF CW Input Power (50Ω source)  
Drain Current  
dBm  
A
1.2  
T
Storage Temperature  
-55 to +125  
-40 to +85  
12  
°C  
STG  
Tc  
Operating Baseplate Temperature  
Thermal Resistance (Channel to Backside)  
°C  
R
°C/W  
JC  
Electrical Characteristics (Operated at 25°C, 50Ω system, Vd = +8V, quiescent current (Idq = 600 mA)  
Parameter  
Min  
6.0  
15  
Typ  
Max  
18.0  
Units  
GHz  
dB  
Frequency Range  
Small Signal Gain  
P1dB Compression  
P3dB Compression  
21  
31  
28  
dBm  
dBm  
%
30  
32  
PAE at 1dB Gain Compression  
Input Return Loss  
12  
22  
9.5  
dB  
Output Return Loss  
7.4  
dB  
1
Gate Voltage (Vg)  
-0.4  
-0.025  
V
Gain vs. Temp. 0 ~ 85°C  
dB/°C  
Note:  
1. Typical range of the negative gate voltage is -1 to 0V to set a typical Idq of 600 mA.  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
RMPA61810 Rev. B  
123456

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