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RMPG06B/1-E3 PDF预览

RMPG06B/1-E3

更新时间： 2024-11-25 20:58:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN, Signal Diode

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RMPG06B/1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.62外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.15 µs表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

RMPG06B/1-E3 数据手册

 浏览型号RMPG06B/1-E3的Datasheet PDF文件第2页 
RMPG06A THRU RMPG06J  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Miniature Glass Passivated  
Fast Switching Plastic Rectifier  
Reverse Voltage 50 to 600V  
Forward Current 1.0A  
Features  
Case Style MPG06  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
• Low forward voltage drops, high current capability  
• Glass passivated chip junction  
1.0 (25.4)  
0.100 (2.54)  
• High surge capability  
MIN.  
0.090 (2.29)  
DIA  
• Typical IR less than 0.1µA  
• High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds 0.375” (9.5mm) lead length, 5 lbs.  
(2.3kg) tension  
Mechanical Data  
Case: Molded plastic over passivated chip  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
0.125 (3.18)  
0.115 (2.92)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.0064 oz., 0.181 g  
1.0 (25.4)  
MIN.  
Packaging codes/options:  
1/5K per Bulk Box  
0.025 (0.635)  
3/3K per Ammo Box (26mm Tape)  
4/5.5K per 13" Reel (52mm Tape)  
23/3K per Ammo Box (52mm Tape)  
50/2.5K per Radial-Tape Ammo Box  
0.023 (0.584)  
DIA.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
RMPG RMPG RMPG RMPG RMPG  
Symbol  
VRRM  
VRMS  
VDC  
06A  
06B  
100  
70  
06D  
200  
140  
200  
06G  
400  
280  
400  
06J  
600  
420  
600  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
V
Maximum DC blocking voltage  
50  
70  
V
Maximum average forward rectified current,  
0.375" (9.5mm) lead length at TA=25°C  
IF(AV)  
1.0  
A
Peak forward surge current  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
40  
A
Typical thermal resistance (1)  
RΘJA  
RΘJL  
67  
30  
°C/W  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
RMPG RMPG RMPG RMPG RMPG  
Symbol  
06A  
06B  
06D  
06G  
06J  
Unit  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
VF  
1.3  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=125°C  
5.0  
50  
IR  
µA  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
CJ  
trr  
6.6  
pF  
ns  
Typical reverse recovery time at  
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
150  
200  
Notes:  
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted with 0.22 x 0.22” (5.5 x 5.5mm) copper pads  
Document Number 88706  
08-Feb-02  
www.vishay.com  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RMPG06B/23-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN, Signal Diode
RMPG06B/3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
RMPG06B/3-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN, Signal Diode
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN, Signal Diode
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RMPG06B-E3/1 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN, Signal Diode
RMPG06B-E3/23 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, CASE MPG06, 2 PIN, Signal Diode
RMPG06B-E3/4 VISHAY

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