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RLZTE11A2.0B

更新时间: 2024-11-07 18:57:51
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罗姆 - ROHM 测试二极管
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1页 56K
描述
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional

RLZTE11A2.0B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-XELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-XELF-R2JESD-609代码:e3/e2
膝阻抗最大值:2000 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:120 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN/TIN COPPER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:10
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

RLZTE11A2.0B 数据手册

  

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