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RLZ9.1B

更新时间: 2024-11-09 04:08:03
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罗姆 - ROHM 稳压二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
5页 190K
描述
Zener diode

RLZ9.1B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.74Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:8 Ω
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
膝阻抗最大值:120 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
最大反向电流:0.5 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:2.5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

RLZ9.1B 数据手册

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RLZ5.6B  
Diodes  
Zener diode  
RLZ5.6B  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Voltage regulation  
ꢀBAND  
CATHODE  
(1st COLOR BAND)  
(2nd COLOR BAND)  
(3rd COLOR BAND)  
0.4  
0.4  
zFeatures  
1) Grass seald envelope. (LLDS)  
2) High reliability.  
3.4±0.2  
ROHM : LLDS  
JEDEC : LL-34  
φ1.5MAX  
zConstruction  
Silicon planar  
zLand size figure (Unit : mm)  
zStructure  
5.0  
1.4  
1.4  
R1.4  
LLDS  
zTaping specifications (Unit : mm)  
1.5±0.1  
ꢀꢀꢀ 0  
0.3MAX  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
φ1.0±0.2  
ꢀꢀꢀꢀꢀ0  
1.8±0.2  
TE-11  
4.0±0.1  
1.6±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
500  
175  
Symbol  
P
Unit  
mW  
Tj  
-65 to +175  
Tstg  
Rev.A  
1/4  

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