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RJP4010AGE-00-P5

更新时间： 2024-11-11 14:44:27

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瑞萨 - RENESAS		栅双极性晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	71K
描述
400V, N-CHANNEL IGBT, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, ULTRA SMALL, TSOJ-8

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RJP4010AGE-00-P5 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	1.2 V
门极-发射极最大电压：	6 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C8
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RJP4010AGE-00-P5 数据手册

Preliminary Datasheet

RJP4010AGE

400V, 150A, IGBT for Strobe Flash

Features

R07DS0371EJ0400

Rev.4.00

Dec 28, 2012



Ultra small surface mount package (TSOJ-8)

_CES: 400 V

_CM: 150 A @V_GE= 3 V, Tc = 70C, C_M= 100 F

Drive voltage: 3.0 V to 6 V (MAX)

Pb-free

Halogen-free

Outline

RENESAS Package code: PTSJ0008JA-A

(Package name: TSOJ-8)

1, 2, 3 : Emitter

4 : Gate

5, 6, 7, 8 : Collector

Applications

Strobe flash for cameras

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

Symbol

V_CES

Ratings

400

Unit

Conditions

V_GE= 0 V

V_CE= 0 V

V_GES

I_CM

6

Collector current (Pulse)

150

C_M= 100 F

(see performance curve)

Channel dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Pch

1.6

C

–40 to +150

Tstg

R07DS0371EJ0400 Rev.4.00

Dec 28, 2012

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