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RHRP850

更新时间: 2024-11-28 21:16:03
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页数 文件大小 规格书
5页 785K
描述
8A, 500V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RHRP850 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
其他特性:FREEWHEELING DIODE应用:HYPERFAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:75 W认证状态:COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压:500 V最大反向恢复时间:0.035 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RHRP850 数据手册

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