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RH4783A

更新时间: 2024-11-14 18:46:47
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 294K
描述
Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-7

RH4783A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.92
其他特性:RADIATION HARDENED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:100 Ω
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.5 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:0.085 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:1 mA
Base Number Matches:1

RH4783A 数据手册

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