是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | RADIATION HARDENED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 25 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-7 | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 6.4 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.64 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 4 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N4580A | MICROSEMI |
完全替代 |
6.4 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | |
JANS1N4580A-1 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
JANS1N4580 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RH4580A-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580A-1-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580A-1-2 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580A-1-3 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580A-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.4V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-7, | |
RH4580A-2 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580A-3 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580ATR | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580ATR-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
RH4580ATR-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |