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RGP210

更新时间: 2024-11-16 04:08:23
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DEC 二极管IOT快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 403K
描述
2 AMP FAST RECOVERY SILICON DIODES

RGP210 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.24Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:60 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

RGP210 数据手册

 浏览型号RGP210的Datasheet PDF文件第2页 
DIOTEC ELECTRONICS CORP.  
18020 Hobart Blvd., Unit B  
Data Sheet No. FSPD-200-1B  
Gardena, CA 90248 U.S.A  
Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958  
2 AMP FAST RECOVERY SILICON DIODES  
MECHANICAL SPECIFICATION  
FEATURES  
ACTUAL SIZE OF  
DO-41 PACKAGE  
SERIES RGP200 - RGP210  
R
PROPRIETARY SOFT GLASS JUNCTION  
PASSIVATION FOR SUPERIOR RELIABILITY AND  
PERFORMANCE  
DO - 41  
VOID FREE VACUUM DIE SOLDERING FOR MAXIMUM  
MECHANICAL STRENGTH AND HEAT DISSIPATION  
(Solder Voids: Typical < 2%, Max. < 10% of Die Area)  
LL  
BD (Dia)  
EXTREMELY LOW LEAKAGE AT HIGH TEMPERATURES  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
BL  
Color Band  
Denotes  
2A at T = 75 C WITH NO THERMAL RUNAWAY  
Cathode  
MECHANICAL DATA  
LL  
LD (Dia)  
Minimum  
Maximum  
Sym  
In  
mm  
4.1  
In  
mm  
5.2  
2.7  
0.160  
0.205  
0.107  
BL  
BD  
0.103  
1.00  
2.6  
25.4  
LL  
LD  
0.86  
0.028  
0.71 0.034  
MAXIMUM RATINGS & ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER (TEST CONDITIONS)  
RATINGS  
SYMBOL  
UNITS  
H29  

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