RFUS20TM4S

更新时间： 2024-02-25 12:25:47

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罗姆 - ROHM		整流二极管局域网超快速恢复二极管
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描述
Super Fast Recovery Diode

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RFUS20TM4S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	8	Is Samacsys：	N
应用：	SUPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.6 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	430 V
最大反向电流：	10 µA	最大反向恢复时间：	0.035 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RFUS20TM4S 数据手册

Data Sheet

Super Fast Recovery Diode

RFUS20TM4S

Series

Dimensions (Unit : mm)

Structure

+0.3

−0.1

+0.3

−0.1

Ultra Fast Recovery

+0.2

−0.1

(1) (2) (3)

Applications

General rectification

Features

1)Ultra low switching loss

2)High current overload capacity

3)Cathode common single type

+0.1

−0.05

Construction

Silicon epitaxial planer

Absolute maximum ratings (Tc=25C)

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Limits

430

Unit

Symbol

V_RM

Duty0.5

Direct voltage

430

V_R

60Hz half sin wave, Resistance load,

Average rectified forward current

Forward current surge peak

Tc=68C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

I_FSM

100

one cycle peak value, Tj=25 C

Junction temperature

Storage temperature

150

C

55 to 150

Tstg

Electrical characteristics (Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=20A

Min.

Typ.

1.4

0.05

Max.

1.6

Symbol

V_F

Unit

Forward voltage

Reverse current

V_R=430V

I_R

μA

Reverse recovery time

Thermal resistance

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

trr

Rth(j-c)

C/W

www.rohm.com

2011.06 - Rev.A

1/3

12 3 4

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