RFUS20TM6S

更新时间： 2024-01-20 09:25:50

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Super Fast Recovery Diode

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RFUS20TM6S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	TO-220NFM, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	应用：	ULTRA SUPER FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.8 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RFUS20TM6S 数据手册

Super Fast Recovery Diode

RFUS20TM6S

Series

Dimensions(Unit : mm)

Structure

+0.3

-0.1

+0.3

-0.1

Ultra Fast Recovery

+0.2

-0.1

Applications

(1) (2) (3)

General rectification

Features

1)Cathode Common Single type.(TO-220)

2)Ultra High switching speed

(1) (2) (3)

+0.1

-0.05

Construction

Silicon epitaxial planar

Absolute maximum ratings(Tc=25C)

Parameter

Conditions

Duty≦0.5

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

600

Direct voltage

60Hz half sin wave, Resistance load,

Average rectified forward current

Tc=50C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

I_FSM

Forward current surge peak

100

one cycle peak value, Tj=25C

Junction temperature

Storage temperature

150

C

-55 to 150

Tstg

Electrical characteristics(Tj=25C)

Parameter

Conditions

I_F=20A

Typ.

2.3

0.05

Symbol

V_F

Min.

－

Max.

2.8

Unit

Forward voltage

Reverse current

V_R=600V

I_R

μA

－

Reverse recovery time

Thermal Resistance

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

trr

－

Rth(j-c)

1.8

－

C / W

www.rohm.com

2010.02 - Rev.A

1/3

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