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RFB18N10CS

更新时间: 2024-11-05 20:51:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 152K
描述
18A, 100V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TS-001AA

RFB18N10CS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.36其他特性:CURRENT SENSING
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN TEMPERATURE SENSOR
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TS-001AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T5JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:79 W最大功率耗散 (Abs):79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):56 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):71 ns
最大开启时间(吨):77 nsBase Number Matches:1

RFB18N10CS 数据手册

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