Datasheet > REF2041AIDDCT

REF2041AIDDCT

更新时间： 2024-11-13 11:14:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	4045K
描述
4.1V Vref、低温漂、低功耗、双输出 Vref 和 Vref/2 电压基准 \| DDC \| 5 \| -40 to 125

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

REF2041AIDDCT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.75	模拟集成电路 - 其他类型：	THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e4
长度：	2.9 mm	湿度敏感等级：	2
功能数量：	1	输出次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电压：	4.098048 V
最小输出电压：	4.093952 V	标称输出电压：	4.096 V
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	0.87 mm
最大供电电流 (Isup)：	0.46 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.116 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	最大电压温度系数：	8 ppm/ °C
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
微调/可调输出：	NO	宽度：	1.6 mm
Base Number Matches：	1

REF2041AIDDCT 数据手册

REF2025, REF2030, REF2033, REF2041

ZHCSCM7E –JULY 2018 –REVISED FEBRUARY 2022

REF20xx 低漂移、低功率、双路输出、V_REF和V_REF/2 电压基准

1 特性

3 说明

• 两个输出，V_REF和V_REF/2，方便用于单电源系统

• 出色的温漂性能：

– –40°C 至125°C 范围内为8ppm/°C（最大值）

• 高初始精度：±0.05%（最大值）

• V_REF和V_BIAS跟踪过热：

仅具有正向电源电压的应用通常需要使用一个处于模数

转换器 (ADC) 输入范围中间位置的附加稳定电压来偏

置输入双极信号。REF20xx 提供了一个可供 ADC 使

用的基准电压 (V_REF) 和一个可用于偏置输入双极信号

的高精度电压(V_BIAS)。

– –40°C 至85°C 范围内为6ppm/°C（最大值）

– –40°C 至125°C 范围内为7ppm/°C（最大值）

• 微型封装：SOT 23-5

• 低压降：10 mV

• 高输出电流：±20mA

• 低静态电流：360μA

• 线性调节：3ppm/V

• 负载调节：8ppm/mA

• Matte-Sn 版本(REF2025AISDDCR) 在Battelle

REF20xx 在V_REF和V_BIAS输出端具有出色的温漂

（最大8ppm/°C）和初始精度 (0.05%)，同时可保持静

态工作电流低于 430µA。此外，V_REF和 V_BIAS输出端

在 –40°C 至 125°C 的温度范围内相互跟踪，精度为

6ppm/°C（最大值）。与分立式解决方案相比，所有这

些特性使得 REF20xx 提升了信号链的精度、节省了布

板空间并降低了系统成本。仅 10mV 的超低压降允许

器件在极低输入电压条件下工作，这一特性在电池供电

系统中非常适用。

Class III 和类似严苛环境中的抗腐蚀性得以改进

V_REF和 V_BIAS电压具有同样出色的技术规范，而且灌

电流和拉电流能力同样强大。这些器件具有优异的长期

稳定性和低噪声级别，是高精度工业应用的理想选择。

2 应用

• 电表

• 模拟输入模块

• 模拟输出模块

• 伺服驱动器控制模块

• 断路器（ACB、MCCB、VCB）

• 临床数字温度计

• 实验室和现场仪表

• 电池测试

器件信息

封装⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

器件名称

REF20xx

SOT-23 (5)

2.90mm × 1.60mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

Power

Supply

0.05

0.04

0.03

V_BIAS

0.02

0.01

V_IN+

V_OUT

ADC

INA213

REF

R_SHUNT

I_SENSE

-0.01

-0.02

V_REF

-0.03

V_IN-

-0.04

-0.05

V_BIAS

1.5 V

V_REF

3.0 V

œ75 œ50 œ25

100 125 150

Temperature (°C)

C001

REF2030

_REF和V_BIAS与温度间的关系

V_IN

GND

应用示例

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SBOS600

12 3 4 5 6 7...35

中文翻译

下载PDF

REF2041AIDDCT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
REF2041AIDDCR	TI	类似代替	4.1V Vref、低温漂、低功耗、双输出 Vref 和 Vref/2 电压基准 \| DD

与REF2041AIDDCT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
REF2041-Q1	TI	获取价格	REF20xx-Q1 Low-Drift, Low-Power, Dual-Output, VREF and VREF / 2 Voltage References
REF2041QDDCRQ1	TI	获取价格	REF20xx-Q1 Low-Drift, Low-Power, Dual-Output, VREF and VREF / 2 Voltage References
REF20-Q1	TI	获取价格	REF20xx-Q1 Low-Drift, Low-Power, Dual-Output, VREF and VREF / 2 Voltage References
REF20XX-Q1	TI	获取价格	REF20xx-Q1 Low-Drift, Low-Power, Dual-Output, VREF and VREF / 2 Voltage References
REF2125	TI	获取价格	具有零噪声启动功能的低漂移、低功耗、小型串联电压基准
REF2125IDBVR	TI	获取价格	具有零噪声启动功能的低漂移、低功耗、小型串联电压基准 \| DBV \| 5 \| -40 to
REF25	ETC	获取价格	Analog IC
REF2525Z	ETC	获取价格	Voltage Reference
REF25D	ETC	获取价格	Analog IC
REF25Z	ETC	获取价格	Voltage Reference

与REF2041AIDDCT相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

REF2041AIDDCT

REF2041AIDDCT 技术参数

REF2041AIDDCT 数据手册

REF2041AIDDCT 替代型号

与REF2041AIDDCT相关器件

与REF2041AIDDCT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

REF2041AIDDCT

REF2041AIDDCT 技术参数

REF2041AIDDCT 数据手册

REF2041AIDDCT 替代型号

与REF2041AIDDCT相关器件

与REF2041AIDDCT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？