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RD8.2MWB-T1B

更新时间: 2024-09-26 14:38:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 185K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5.37%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN

RD8.2MWB-T1B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-59
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.7
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5.37%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

RD8.2MWB-T1B 数据手册

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