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RD6.8SB2-T1 PDF预览

RD6.8SB2-T1

更新时间： 2024-11-05 20:45:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 54K
描述
Zener Diode, 6.79V V(Z), 2.5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-2

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RD6.8SB2-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.31
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：6.79 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：2.5%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

RD6.8SB2-T1 数据手册

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DATA SHEET  
ZENER DIODES  
RD2.0S to RD120S  
ZENER DIODES  
200 mW 2 PINS SUPER MINI MOLD  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSIONS  
Type RD2.0S to RD120S Series are 2 PIN Super Mini  
Mold Package zener diodes possessing an allowable power  
dissipation of 200 mW.  
(in millimeter)  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
FEATURES  
•
•
Sharp Breakdown characteristic.  
Vz: Applied E24 standard.  
2.5±0.15  
1.7±0.1  
APPLICATIONS  
Circuit for Constant Voltage, Constant Current, Wave form  
Clipper, Surge absorber, etc.  
Cathode  
Indication  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
Power Dissipation  
P
200 mW  
Forward Current  
IF  
100 mA  
Reverse Surge Power  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PRSM  
Tj  
85 W (at t=10 µs/1 pulse) Show Fig. 12  
150 °C  
Tstg  
–55 to +150 °C  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability  
and additional information.  
Document No. D11444EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published March 1999 N CP(K)  
Printed in Japan  
1995  
©
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD6.8SB3 NEC

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 		Zener Diode, 7V V(Z), 2.43%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-2
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