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RD58F0016LVYTB0

更新时间： 2024-11-02 19:52:51

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
58页	1219K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, 16MX16, CMOS, PBGA103, 9 X 11 MM, 1.40 MM HEIGHT, SCSP-103

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RD58F0016LVYTB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA103,9X12,32
针数：	103	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
最长访问时间：	85 ns	其他特性：	LPSDRAM IS ORGANIZED AS 128MBIT; ALSO CONTAINS 2 256 MBIT FLASH; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION
JESD-30 代码：	R-PBGA-B103	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SDRAM	功能数量：	1
端子数量：	103	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA103,9X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
最大待机电流：	0.025 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

RD58F0016LVYTB0 数据手册

Intel StrataFlash^Wireless Memory

System (LV18 SCSP)

1024-Mbit LVX Family with LPSDRAM

Datasheet

Product Features

■ Device Memory Architecture

■ Code Segment Flash Read Performance

—85 ns initial access

—Flash die density: 128-, 256-Mbit

—LPSDRAM die density: 128-, 256-Mbit

—25 ns Asynchronous Page read

—Top or Bottom parameter flash

configuration

—14 ns Synchronous read (t_CHQV

—54 MHz (max.) CLK

)

■ Device Voltage

■ Data Segment Flash Performance

—170 ns initial access

—Core: V_CC= 1.8 V (typ.)

—I/O: V_CCQ= 1.8 V (typ.)

—55 ns Asynchronous Page read

■ Code Segment Flash Architecture

—Hardware Read-While-Write/Erase

—Multiple 8-Mbit / 16-Mbit partition sizes

■ Device Common Performance

—Buffered EFP: 5µs / Byte (typ.) per die

—Buffer Program: 7µs / Byte (typ.) per die

—Concurrent Buffered EFP:

—2-Kbit One-Time-Programmable

Protection Register

6.4-Mbps effective with 4 flash dies

■ Device Common Architecture

■ Data Segment Flash Architecture

—Software Read-While-Write/Erase

—Single partition size die

—Asymmetrical blocking structure

—16-KWord parameter blocks (Top or

Bottom); 64-KWord main blocks

■ Flash Software

—Zero-latency block locking

—Intel^FDI, Intel^PSM, and Intel^

VFM

—Absolute write protection with block

lock down using F-VPP and F-WP#

—Common Flash Interface

■ Device Packaging

—Basic/Extended Command Set

—103 active balls; 9 x 12 ball matrix

—Area: 9 x 11 mm to 11 x 11 mm

—Height: 1.4 mm

■ Quality and Reliability

—Extended temperature: –25 °C to +85 °C

—Minimum 100 K flash block erase cycle

—0.13 µm ETOX VIII flash technology

■ SDRAM Architecture and Performance

—Clock rate: 105 MHz

—Four internal banks

—Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page

Intel StrataFlash^®Wireless Memory System (LV18 SCSP) with Low-Power SDRAM (LVX

family) offers a variety of high performance code segment, large embedded data segment, and

low-power SDRAM combinations in a common package on 0.13 µm ETOX™ VIII flash

technology. The LVX family integrates up to two code segment flash dies, two data segment flash

dies, and two low-power SDRAM dies or one SRAM die in a common x16D Performance ballout.

Notice: This document contains information on new products in production. The specifications

are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that you have the

latest datasheet before finalizing a design.

300945-006

October 2004

12 3 4 5 6 7...58

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