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RD5.6ESAB3

更新时间: 2024-09-14 21:07:07
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EIC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
Zener Diode,

RD5.6ESAB3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.78其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:40 ΩJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2膝阻抗最大值:900 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W参考标准:TS 16949
标称参考电压:5.64 V最大反向电流:5 µA
反向测试电压:2.5 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

RD5.6ESAB3 数据手册

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TH97/10561QM  
TW00/17276EM  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
ZENER DIODES  
RD2.0ES SERIES  
DO - 34 Glass  
VZ : 2.0 - 37.5Volts  
PD : 400 mW  
1.00 (25.4)  
0.078 (2.0 )max.  
min.  
FEATURES :  
* High reliability  
0.118 (3.0)  
max.  
Cathode  
Mark  
* Low leakage current  
* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical  
insertion  
1.00 (25.4)  
min.  
0.017 (0.43)max.  
* Pb / RoHS Free  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-34 Glass Case  
Weight: approx. 0.093g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
ORDERING INFORMATION  
RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"  
should be applied for oders for suffix "AB"  
MAXIMUM RATINGS  
Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified  
Parameter  
Forward Rectifier Current  
Power Dissipation  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
mA  
mW  
W
IF  
PD  
PRSM  
Tj  
400  
100  
Surge Reverse Power(t = 10μs)  
Junction Temperature  
175  
°C  
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 65 to + 175  
°C  
Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200  
Ta, AMBIENT TEMPERATURE (°C)  
Page 1 of 4  
Rev. 03 : December 3, 2008  

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