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RD5.6ES-T1AB2

更新时间: 2024-11-05 15:49:27
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日电电子 - NEC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
10页 417K
描述
Zener Diode, 5.59V V(Z), 2.5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34,

RD5.6ES-T1AB2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:5.59 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:2.5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

RD5.6ES-T1AB2 数据手册

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