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RD4.7ESAB2

更新时间： 2024-11-07 15:49:23

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EIC		测试二极管
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4页	61K
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Zener Diode,

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RD4.7ESAB2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	100 Ω	JEDEC-95代码：	DO-34
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	膝阻抗最大值：	1200 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.4 W	参考标准：	TS 16949
标称参考电压：	4.68 V	最大反向电流：	5 µA
反向测试电压：	1 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	1.92%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

RD4.7ESAB2 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

ZENER DIODES

RD2.0ES SERIES

DO - 34 Glass

VZ : 2.0 - 37.5Volts

P_D: 400 mW

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

FEATURES :

* High reliability

0.118 (3.0)

max.

Cathode

Mark

* Low leakage current

* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical

insertion

1.00 (25.4)

min.

0.017 (0.43)max.

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.093g

Dimensions in inches and ( millimeters )

ORDERING INFORMATION

RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"

should be applied for oders for suffix "AB"

MAXIMUM RATINGS

Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Forward Rectifier Current

Power Dissipation

Symbol

Value

150

Unit

PRSM

400

100

Surge Reverse Power(t = 10μs)

Junction Temperature

175

°C

Storage Temperature Range

Tstg

- 65 to + 175

°C

Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE

500

400

300

200

100

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Ta, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

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Rev. 03 : December 3, 2008

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